上図左「a」は、グラフェンデバイス上のプラズモンのイメージ。導波路上にグラフェンデバイスを挿入することで、THz電気パルスをグラフェンプラズモンに変換した。右「b」はグラフェンデバイスの断面模式図。金属ゲートによりグラフェンプラズモンの位相・振幅を制御し、ZnO（酸化亜鉛）ゲートにより、電気パルスとプラズモンの変換効率を高めた
