世界初、窒化アルミニウム（AlN）を採用した「AlN系高周波トランジスタ」による高周波増幅にNTTが成功、ポスト5Gでの活用に期待(4/5)

AlN系トランジスタ（Al組成85％）の（a）電子顕微鏡像（上面から撮影）、（b）ゲート電圧を+3Vから−9Vまで変化させたときのドレイン電流‐電圧特性